本公司提供GaN on Si外延制程技术，利用MOCVD在Si基板成长
AlGaN和GaN复合缓冲层，掌握生长复合缓冲层厚度差异的技术，
可减缓GaN 和Si基板之间应力问题，改善晶圆缺陷，提供高水准
元件性能和可靠度。

本技术为公司自有开发，已申请多国专利保护，目前已提供量产
服務，可提供100V~600V8吋GaN/Si的外延晶圆。

相关产品资讯请参考氮化镓外延。

最新发布：8吋GaN/Si