本公司提供GaN on Si磊晶製程技術，利用MOCVD在Si基板成長
AlGaN和GaN複合緩衝層，掌握生長複合緩衝層厚度差異的技術，
可減緩GaN 和Si基板之間應力問題，改善晶圓缺陷，提供高水準
元件性能和可靠度。

本技術為公司自有開發，已申請多國專利保護，目前已提供量產
服務，可提供100V~600V8吋GaN/Si的磊晶晶圓。

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最新發佈：8吋GaN/Si