Si Epitaxy シリコンエピタキシャル

嘉晶電子は直径100~200mmのエピタキシャルウェハーを提供します。基板からエピタキシャルまでの規格は顧客の製品特性に合わせて設計して生産します。製品それぞれの特性に応じた最適の生産方法とエピタキシャルプロセスを決定します。

尚、エピタキシャル装置はバッチタイプ及びシングルタイプの二種類があります。バッチタイプの装置は直径100~150mmのエピタキシャルウェハーを一度にたくさん生産可能です。シングルタイプの設備装置は均一性のよい150~200mmのエピタキシャルウェハーを生産可能です。

 

Epi Reactor

Wafer Diameter

Epi Thickness

Epi Resistivity

Single Wafer

125 – 200 mm

0.5 – 60 μm

0.01 – 1000 Ω.cm

Batch Type

100 – 150 mm

1 – 200 μm

0.01 – 200 Ω.cm

 

Process Flow

03-1