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    本公司提供GaN on Si外延制程技术,利用MOCVD在Si基板成长
    AlGaN和GaN复合缓冲层,掌握生长复合缓冲层厚度差异的技术,
    可减缓GaN 和Si基板之间应力问题,改善晶圆缺陷,提供高水准
    元件性能和可靠度。

    本技术为公司自有开发,已申请多国专利保护,目前已提供量产
    服務,
    可提供100V~600V8吋GaN/Si的外延晶圆。

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    最新发布:8吋GaN/Si