• 2016-06-10
    本公司於2016年6月9日由徐建華先生擔任董事長
    原董事長黃民奇先生任榮譽董事長

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    本公司提供GaN on Si磊晶製程技術,利用MOCVD在Si基板成長
    AlGaN和GaN複合緩衝層,掌握生長複合緩衝層厚度差異的技術,
    可減緩GaN 和Si基板之間應力問題,改善晶圓缺陷,提供高水準
    元件性能和可靠度。

    本技術為公司自有開發,已申請多國專利保護,目前已提供量產
    服務,
    可提供100V~600V6吋GaN/Si的磊晶晶圓。相關產品資訊
    請參考氮化鎵磊晶 

 

產品簡介

Silicon Epitaxy Wafer

p-4

SiC Epitaxy

磊晶設備

GaN on Si Epitaxy

本公司提供GaN on Si磊晶製程技術,利用MOCVD在Si基板成長AlGaN和GaN複合緩衝層,掌握生長複合緩衝層厚度差異的技術,可減緩GaN 和Si基板之間應力問題,改善晶圓缺陷,提供高水準元件性能和可靠度。

本技術為公司自有開發,已申請多國專利保護,目前已提供量產服務,可提供100V~600V6吋GaN/Si的磊晶晶圓。相關產品資訊請參考氮化鎵磊晶